LW30-72.5/2500-31.5厂家
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产品参数
产品价格111/个
发货期限1
供货总量100000
运费说明12
真空断路器ZW7-35
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产品细节图


共享高压真空断路器的控制是通过辅助电路实现的。在主控制室的控制屏上应装有能发出合闸、分闸命令的控制开关或按钮,在断路器上应有执行命令的操动机构(即合闸、分闸线圈)。控制开关和操动机构之间通过控制电缆连接起来。完成高压真空断路器合闸、分闸任务的电气回路称为控制电路。控制电路按操作电源的种类可以分为直流操作和交流操作两类;按采用的接线和设备分,有强电控制和弱电控制两类。一、接触器接触器分为交流接触器(电压AC)和直流接触器(电压DC),它应用于电力、配电与用电场合。接触器广义上是指工业电中利用线圈流过电流产生磁场,使触头闭合,以达到控样,随着公司的不断发展,产品设计科学、制作精良、造型美观,是现代电网建设的理想的配套产品,其中户内(外)真空断路器,隔离开关,负荷开关,氧化锌避雷器,熔断器,穿墙套管,绝缘子,电流互感器,高压电力计量箱等一系列高低压电气产品畅销全国各地我们以“科技兴业,质量创牌,诚经营,优良服务”的企业宗旨;一直致力于追求卓越的民族电气工业,为广大新老用户提供优质的产品和良好的服务而不懈努力,您的满意始终是我们追求的目标,真诚欢迎新老朋友惠顾,共创美好未来。制负载的电器。在电工学上,因为可快速切断交流与直流主回路和可频繁地接通与大电流控制(达800A)电路的装置,所以经常运用于电动机做为控制对象﹐也可用作控制工厂设备﹑电热器﹑工作母机和各样电力机组等电力负载,接触器不仅能接通和切断电路,而且还具有低电压释放保护作用。接触器控制容量大,适用于频繁操作和远距离控制,是自动控制系统中的重要元件之一。接触器主要做工业控制用,一般负载以电机居多,当然会有一些加热器、做双电源切换等场合使用。在接触器的通断是通过控制线圈电压来实现的。根据灭弧的不同结构可以分为真空接触器和普通接触器。根据不同的控制电压可以分为直流接触器和交流接触器,它的主要附件为辅助触点。在工业电气中,接触器的型号很多,工作电流在5A-1000A的不等,其用处相当广泛。二、高压真空断路器高压真空断路器是指能够关合、承载和开断正常回路条件下的电流并能关合、在规定的时间内承载和开断异常回路条件下的电流的开关装置。高压真空断路器按其使用范围分为高压高压真空断路器与低压高压真空断路器,高低压界线划分比较模糊,一般将3kV以上的称为高压电器。高压真空断路器可用来分配电能,不频繁地启动异步电动机,对电源线路及电动机等实行保护,当它们发生严重的过载或者短路及欠压等故障时能自动切断电路,其功能相当于熔断器式开关与过欠热继电器等的组合。而且在分断故障电流后一般不需要变更零部件。



因此如何合理的设置铁芯以及如何合理的设计铁芯结构成为提高真空灭弧室可靠性的关键。针对杯状纵磁真空灭弧室触头,本文设计了两种不同结构的铁芯,一种是结构为环状的铁芯,为了减小涡流的影响,在环形铁芯上开一个间隙为1 mm 的断口;另一种结构为圆周方向布置的柱状铁芯,柱状铁芯相互不接触,因此可以更好的减小涡流的影响。采用有限元分析方法对比分析了两种不同结构铁
芯对纵向磁场和剩余磁场以及磁场滞后时间的影响。  触头结构模型  文中仿真所采用的两种不同铁芯结构的触头模型如图1 所示,触头杯均有4 个杯指,为了防止触头片上产生涡流,对应的在触头片上开有四个周向均匀布置的径向直槽。触头外径尺寸为78 mm,壁厚11 mm,弧柱直径与触头外径尺寸相同,柱状铁芯12 个,仿真模型中触头开距为10 mm,杯座材料为无氧铜,支撑盘材料为不锈钢,触头片材触头在高真空中分离时,其电弧表现形式与外观特性都与在空气中的情形有较大区别。真空断路器的击穿机理目前主要有场致发射、粒撞击和粒子交换
三种假说,在短间隙真空断路器的相关研究中,通常由场致发射效应占主导。在触头断开时刻,整个阴极表面会产生金属蒸气。理论上是由于触头分开瞬间,电流集中在触头表面某点上,导致金属桥熔化且部分金属原子发生电离。随着触头开距的增大,场致发射与间隙击穿增强,触头表面金属凸点不断溶化并向触头间隙补充金属粒子。此时阴极斑点会在阴极表面形成,并有更多的高能等离子体形成并扩散至间隙内。电弧引燃后,充满等离子体的电极间
隙变成良好导体,同时阳极开始向电弧提供粒子。在纵向磁场作用下,电弧等离子体由触头中心向周围扩散,此过程会维持一段时间。对于交流真空断路器而言,电流到达峰值后会逐渐减小,两触头向等离子体提供的粒子同样减少,此时电极间隙内主要为弧后残存粒子,伴随着触头完全断开,残存粒子逐渐扩散至消失,断路器完成开断。  真空电弧等离子体的产生过程,可以表现为触头开距增大、触头表面金属蒸发,伴随场致发射效应和金
属电离,由于两极电子、金属离子的不断补充,终形成电弧。在电弧等离子体的研究方面,王景、武建文等运用连续光谱法分析了电子温度和电子密度,并讨论了中频情况下,电弧过渡及扩散两种形态。胡上茂、姚学玲等利用RC 阻容式电荷收集器,对初始等离子体的触发特性进行了研究。舒胜文、黄道春等通过对真空断路器开断过程的再研究,提出数值方针结合实验的方法,给出开断过程不同阶段所需的数值仿真方法及关注点。赵子玉等通过C
CD 摄像技术,分析了真空电弧的重燃及抑制措施




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