| 产品参数 | |
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| 产品价格 | 电议 |
| 发货期限 | 电议 |
| 供货总量 | 电议 |
| 运费说明 | 电议 |
| 材质 | 65锰钢板 |
| 规格 | 1500*4000 |
| 品牌 | 河钢、敬业 |
| 切割方式 | 激光加工 |
| 状态 | 冷轧、热轧、淬火 |
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近年来,中65锰钢板因具有优异的强塑积且兼顾了经济性与工业可行性而成为了第三代汽车用钢中的一个研究热点,如何进一步提高其力学性能是人们研究的重点之一。
基于此,本文在传统中锰钢研究的基础上,设计了一种V合金化中锰钢并对其进行了热轧、冷轧、温轧及随后的两相区退火处理,较为系统地研究了实验钢在不同轧制状态及不同退火温度下的观组织和力学性能变化规律,探讨了V合金化对中锰钢强度的影响。得到的主要结果如下:本文通过研究热轧+两相区退火（625℃-800℃）处理的实验钢组织与力学性能,得出的结果表明:实验钢组织主要为长条状δ-铁素体、板条状的α-铁素体+残余奥氏体（Retained austenite,RA）以及大量细小弥散的VC析出相。对于625℃和750℃的两相区退火试样,VC的析出强化增量分别为-347 MPa和-234 MPa;随着退火温度（Intercritical annealing temperature,TIA）的,65锰冷轧钢板VC析出相尺寸增大和RA板条粗化引起了屈服强度的显著降低。
随着TIA的,RA含量先增加后降低,稳定性持续降低,导致实验钢的强塑积先增加后降低;当TIA为725℃时,可获得高达-50GPa·%的强塑积,并且屈服强度达到890 MPa,从而具有优异的强塑性配合。通过研究冷轧+两相区退火（650℃-800℃）处理的实验钢组织与力学性能,其结果表明:冷轧退火态实验钢的组织主要为长条状δ-铁素体、等轴状α-铁素体+RA以及大量细小弥散的VC析出相。65mn锰冷轧钢板其中,当TIA较低时,组织中存在少量板条状组织;随着TIA升高,板条状组织逐渐消失,等轴状组织逐渐增多。此外,随着TIA的升高,RA含量逐渐增加而RA稳定性持续降低,导致实验钢的强塑积先增加后降低。其中,当TIA为700℃时,获得高达-52.6GPa·%的强塑积。通过研究温轧以及温轧+两相区退火（650℃-800℃）处理的实验钢组织与力学性能,其结果表明:温轧原始态及温轧+退火态实验钢的组织均为δ-铁素体、板条状与少量等轴状共存的α-铁素体+RA以及大量细小弥散VC析出相。当TIA为650-750℃时,其强塑积均能保持在50 GPa·%以上,这表明温轧处理使实验钢具有较宽的热处理工艺窗口。因此,温轧处理有可能成为一种简化传统中锰钢生产应用的新方法。
2）选取机械性能 的两种材料65mn锰冷轧钢板0Si退火10min试样、0.6Si退火30min试样）,在1×10-4/s～1×10-1/s的应变速率下进行实验,机械性能和断裂行为的研究表明:随着应变速率的增加,由于TRIP效应被抑制,0Si和0.6Si的抗拉强度和延伸率均大幅度降低,且0.6Si的延伸率降低的更快,比如:0Si的延伸率由44%下降至33%,0.6Si的延伸率由55%下降至35%。随着应变速率的增加,0Si的断面收缩率基本不变（约为70%）,0.6Si的断面收缩率大约由51%增加至72%。应变速率并未影响0Si和0.6Si的断裂行为。然而,随着应变速率的降低,表面裂纹的形核数量增加,扩展速率降低;断口的韧窝尺寸降低,二次裂纹数量和尺寸增加。
（3）选取四种材料（0Si和0.6Si均退火3min和30min试样）,65锰钢板系统的研究了成分和退火时间对氢脆性能和氢致断裂行为的影响。关于退火时间:随着退火时间的增加,0Si和0.6Si的氢脆敏感性均呈现上升趋势,比如:当退火3min时,0Si/0.6Si的塑性损失和强度损失分别为13.5%/46.7%和0.0%/1.7%;当退火30min时,0Si/0.6Si的塑性损失和强度损失分别为79.2%/76.5%和26.8%/6.3%。关于成分:退火3min时,0Si的氢脆敏感性较低;退火30min时,0.6Si的氢脆敏感性较低。相比空拉断裂行为而言,氢原子促进裂纹更容易形核与扩展,进而导致材料提前断裂。对于0Si:裂纹形核与氢原子无关,但是,氢致裂纹呈沿晶和穿晶扩展。对于0.6Si:裂纹形核与扩展与氢原子无关,断口则由细小的韧窝变为脆性准解理。
5）在不劣化市售马氏体材料（S0）65mn锰冷轧钢板机械性能的基础上,二次回火不同时间（30min,60min,120min）,试样分别记为 S30、S60 和 S120,发现,二次回火工艺可以有效地提高其抗氢脆性能,如下:S0和S60的塑性损失和强度损失分别为100.0%/79.3%和35.9%/1.7%。二次回火试样抗氢脆性能高的原因如下:1、不可逆氢陷阱MoyCx析出物的长大;2、渗碳体/基体界面的增加;渗碳体/基体应变界面具有较高的陷阱能;3、位错密度的降低。
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